IPB65R660CFDA دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPB65R660CFDA
|
|
حجم فایل
|
75.228
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
14
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPB65R660CFDA
-
Power Dissipation (Pd):
62.5W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Continuous Drain Current (Id):
6A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.5V@200uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
660mΩ@10V,3.2A
-
Package:
TO-263-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
